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介質(zhì)損耗因數(shù)(tanδ)試驗的意義

更新時間:2022-04-13      點擊次數(shù):5513

介質(zhì)損耗因數(shù)(tanδ)試驗

1質(zhì)耗因數(shù)的物理意義 

絕緣質(zhì)在交流電壓作用下會在絕緣質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生耗,這些耗包括絕緣質(zhì)極化產(chǎn)生的 耗、絕緣質(zhì)沿面爬電產(chǎn)生的耗和絕緣質(zhì)內(nèi)部局部放電產(chǎn)生的耗等。由于絕緣質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生了耗,所以造成施加在絕緣質(zhì)上的交流電壓與電流之間的功率因數(shù)角不再是90°。我們把功率因數(shù)角的余角稱為質(zhì)失角,并用質(zhì)耗因數(shù)(tanδ)來表示絕緣系統(tǒng)電容的質(zhì)耗特性。

1.1 等效電路及電壓、電流相量圖 

絕緣質(zhì)在交流電壓作用下產(chǎn)生質(zhì)耗的等效電路見圖5-2。其施加電壓及質(zhì)耗電流的相量圖見圖5-6。圖5-2和圖5-6可進一步簡化成圖 5-7。  

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5-2 絕緣質(zhì)的等效電路

5-2 絕緣電阻測量結(jié)果

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1.2 質(zhì)耗因數(shù)(tanδ)的表示方法 

由圖5-7等效電路圖和相量圖可知,絕緣質(zhì)中的耗可表示為W=UIcos?UIRUICtanδ, 所以 tanδ=IR/IC。為了便于比較,通常取tanδ=IR/IC×100%,即用tanδ來表示相對的質(zhì)耗因數(shù)的大小。這樣可以消除絕緣質(zhì)幾何尺寸差異造成的影響,便于比較和判定不同結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的絕緣性能。

2 tanδ的電壓溫度特性 

2.1 電壓特性 

tanδ與施加電壓的關(guān)系決定于絕緣 質(zhì)的性能、絕緣質(zhì)工藝處理的好壞和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。當(dāng)絕緣質(zhì)工藝處理良好時,外施電壓與tanδ之間的關(guān)系近似一水平直線,且施加電壓上升和下降時測得的tanδ值是基本重合的。當(dāng)施加電壓達(dá)到某一極限值時, tanδ曲線開始向上彎曲,見圖5-8曲線1

如果絕緣質(zhì)工藝處理得不好或絕緣 質(zhì)中殘留氣泡等,則絕緣質(zhì)的tanδ比良好絕緣時要大。另外,由于工藝處理不好的絕緣質(zhì)在極低電壓下就會發(fā)生局部放電,所以,tanδ曲線就會較早地向上彎曲,且電壓上升和下降時測得的tanδ值是不相重合的,見圖5-8曲線2

當(dāng)絕緣老化時,絕緣質(zhì)的tanδ反而比良好絕緣時要小,但tanδ開始增長的電壓較低,即tanδ曲線在較低電壓下即向上彎曲,見圖5-8曲線3。另外,老化的絕緣比較容易吸潮,一旦吸潮,tanδ就會隨著電壓的上升迅速增大,且電壓上升和下降時測得的tanδ 值不相重合,見圖5-8曲線4。 

2.2 溫度特性

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5-6 絕緣質(zhì)等值電流相量圖

IC吸收電流的無功分量 IR吸收電流的有功分量

?功率因數(shù)角 δ—質(zhì)失角

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5-7 絕緣質(zhì)簡化等效電路和等值電流相量圖


(a)等效電路 (b)等值電流相量圖

Cx絕緣質(zhì)的總電容 Rx絕緣質(zhì)的總泄漏電阻 ICx絕緣質(zhì)的總電容電流 IRx絕緣質(zhì)的總泄漏電流

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5-8 絕緣質(zhì)tanδ的電壓特性

tanδ隨溫度的上升而增加,其與溫度之間的關(guān)系與絕緣材料的種類、性能和產(chǎn)品的絕緣結(jié)構(gòu)等有關(guān),在同樣材料、同樣絕緣結(jié)構(gòu)的情況下與絕緣質(zhì)的工藝干燥、吸潮和老化程度有關(guān)。

對于油浸式變壓器,在1040范圍內(nèi),干燥產(chǎn)品的tanδ增長較慢;溫度高于40,則tanδ的增長加快,溫度特性曲線向上逐漸彎曲。為了比較產(chǎn)品不同溫度下的tanδGB/T6451—1999國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了不同溫度t下測量的tanδ的換算公式。

tanδ2tanδ1·1.3(t1-t2)/10 (5-2)

式中 tanδ2——油溫為t2時的tgδ值,%;

 tanδ1——油溫為t1時的tgδ值,%

3 tanδ測量方法 

3.1 測量儀器及測量電壓 

變壓器、互感器等產(chǎn)品的質(zhì)耗因數(shù) (tanδ)測量一般均采用高壓西林電橋。使用比較多的電橋型號有國產(chǎn)QS1(變壓器 tanδ測量多采用此電橋) 和瑞士進口2801 型。兩種電橋的基本原理是一樣的(見圖5- 9),不同的是2801型電橋的R4可以調(diào)節(jié),且主橋外帶有一套2911型自動電位調(diào)節(jié)器,該調(diào)節(jié)器可以自動消除不利的接地和測量導(dǎo)線局部電容對tanδ測量的影響。2801型電橋的測量范圍和準(zhǔn)確度為:使用橋內(nèi)測量元件和100pF標(biāo)準(zhǔn)電容器時,電容測量范圍為 0.01pF11μF,測量準(zhǔn)確度為±0.05%;tanδ測量范圍為0350%,測量準(zhǔn)確度為±0.5%。 

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5-9 高壓西林電橋原理線路圖

Cx被測產(chǎn)品等效電容 CN標(biāo)準(zhǔn)電容器 R3、r、R4可變橋臂電阻 C4可變橋臂電容 G—5511(5512)電子式零指示器(2801電橋)

還有一類電容和介損測量儀在變壓器、互感器等產(chǎn)品的介損tanδ測量中應(yīng)用很廣。這種測量儀采用矢量電流法測量電容和質(zhì)耗因數(shù)。其原理是將CNCx兩個回路電流輸入測量儀后,經(jīng)微處理器進行數(shù)字運算,得到電容Cx和其質(zhì)耗因數(shù),便于實現(xiàn)自動化測量。典型儀器有進口的2876 電橋、2818電容介損測量儀和國產(chǎn)的2518質(zhì)測試儀。這類測試儀測量準(zhǔn)確度比2801電橋稍低,但實現(xiàn)了全自動測量,操作簡單,適合于生產(chǎn)性試驗測量。

tanδ測量電壓:對于額定電壓6kV及以下電壓等級的產(chǎn)品(當(dāng)要求測量tanδ),取額定電壓;對于額定電壓為10kV35kV電壓等級的產(chǎn)品(當(dāng)要求測量tanδ)10kV;對于額定電壓為63kV及以上電壓等級的產(chǎn)品取≥10kV,但最高不應(yīng)超過產(chǎn)品低電壓繞組額定電壓的60%。

3.2 正接法測量 

西林電橋正接法只能測量兩極對地絕緣的產(chǎn)品,如電流互感器、套管等,原理線路圖見圖5- 10。測量方法和步驟如下。

(1)預(yù)估試品電容和測量tanδ電壓下的電容電流,并根據(jù)試品電容和電容電流的大小選擇合適的電橋分流器和橋臂電阻R4(QS1型電橋R4等于10 000/π)。

(2)按圖5-10線路接線,并經(jīng)認(rèn)真檢查無誤后,先施加較低電壓進行測量,然后再升壓至測量電壓進行測量。

(3)測量時首先調(diào)節(jié)電橋的橋臂電阻R3,使電橋基本達(dá)到平衡,然后再調(diào)節(jié)電橋的橋臂電容C4 和橋臂微調(diào)電阻r,使電橋*達(dá)到平衡。

(4)讀取、記錄電橋R3(r)C4測量值,然后根據(jù)電橋R4的取值和標(biāo)準(zhǔn)電容器CN的電容值計算試品的電容和tanδ%。

試品電容Cx的計算公式為:

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當(dāng)R41000/π ΩC4μF時,tanδ=0.1C4tanδ%=10C4

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5-10 正接法測量原理線路圖

PT—電壓互感器 V—電壓表 U—tanδ測量電壓

當(dāng)R410 000/πΩ,C4μF時,tanδ=C4,tanδ%=100C4。

3.3 反接法測量 

對于變壓器來說,由于其油箱是直接落在地面上的,所以測量繞組對地的質(zhì)耗因數(shù)(tanδ) 不能采用正接法,只能采用反接法,原理線路圖見圖5-11

測量方法和步驟同正接法。但由于反接法測量時橋臂電阻R3r、R4C4均處于高電位,因此,是用絕緣桿把操作元件引到電橋接地蓋子上進行操作的(或人站在?10kV絕緣臺子上操作),故測量時必須時刻注意安全。

4 幾點分析 

(1)由于變壓器的tanδ與產(chǎn)品使用的變壓器油、絕緣材料的種類和性能以及產(chǎn)品制造工藝有關(guān),所以,不能用一種簡單的關(guān)系來代表所有的情況。

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5-11 反接法測量原理線路圖

(2)由于變壓器的tanδ只能用來判斷絕緣的整體特性,對判斷絕緣的局部缺陷是不靈敏的,所以,此項試驗還有一定的局限性。正因為如此,所以,GB1094.1—1996標(biāo)準(zhǔn)只規(guī)定有此試驗項目, GB/T6451—1999標(biāo)準(zhǔn)只要求提供tanδ實測數(shù)據(jù),而沒有規(guī)定具體限值 (330kV有限值規(guī)定)。GB/ T16274—1996標(biāo)準(zhǔn)要求提供tanδ實測數(shù)據(jù),而且有具體限值規(guī)定。各企業(yè)可根據(jù)自己的制造工藝等積累這方面的數(shù)據(jù)和經(jīng)驗,并用以判斷不同產(chǎn)品的絕緣處。


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